Семьдесят лет академику Ратахину

24 декабря свое 70-летие отмечает академик Николай Ратахин, директор Института сильноточной электроники СО РАН, известный ученый и организатор науки, специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний вещества.

Николай Александрович родился 24 декабря 1950 года в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области. В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, в 1978 – аспирантуру Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Трудовую деятельность начал стажером-исследователем в отделе сильноточной электроники Института оптики атмосферы СО АН СССР. С 1978 года работает в Институте сильноточной электроники СО РАН, прошел путь от младшего научного сотрудника до директора института. С 1986 года руководил в институте лабораторией, с 1994 – отделом высоких плотностей энергии.

В числе важнейших достижений…

Основное направление научной деятельности Н.А. Ратахина – доктора физико-математических наук (2000), члена-корреспондента (2006) и действительного члена РАН по отделению физических наук (2016) – исследование и разработка эффективных методов компрессии электромагнитной энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение в широком спектральном диапазоне. Он впервые, при участии сотрудников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, выполнил прямые измерения характеристик плазмы в сильноточных диодах с взрывной эмиссией электронов. B 2001 году в составе авторского коллектива был удостоен Первой премии Объединенного института ядерных исследований (г. Дубна) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы». Под руководством Н.А. Ратахина разработаны оригинальные наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3, МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире. В уникальной научной установке России МИГ (многоцелевой импульсный генератор) совмещены практически все известные способы формирования мощных электрических импульсов. Установка позволяет получать такие импульсы в широком диапазоне параметров, проводить эксперименты по электродинамическому сжатию и электровзрыву проводников, ускорению плазмы, созданию мультимегагауссных магнитных полей и их воздействию на материалы, формировать сильноточные релятивистские пучки электронов.

Коллективом исследователей, работающих под научным руководством Н.А. Ратахина, получены важные результаты в области физики экстремальных состояний вещества. Показано, что мощность в импульсах мягкого рентгеновского излучения Z-пинчей может превышать выходную электрическую мощность используемого генератора. Разработан источник точечного тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая эффективность генерирования вспышек рентгеновского излучения с помощью планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей. Мощный импульсный источник нейтронов на основе дейтериевого лайнера с интенсивность десять триллионов частиц за импульс, реализованный на уникальной научной установке России ГИТ-12, вошел в число важнейших достижений по физике в Сибирском отделении РАН за 2018 год. Среди учеников Николая Александровича пять кандидатов и два доктора наук, в том числе один член-корреспондент РАН.

Во главе института

С 2006 года Н.А. Ратахин – директор Института сильноточной электроники СО РАН. За этот период в институте получен ряд крупных научных результатов. Развернуты исследования по генерированию мощных фемтосекундных лазерных импульсов и создана не имеющая мировых аналогов гибридная лазерная система THL-100, на которой получена рекордная мощность излучения 40 тераватт (результат в числе важнейших достижений СО РАН по физике за 2019 год). Впервые в мире разработан метод ударного возбуждения генераторов мощных наносекундных СВЧ-импульсов, позволяющий управлять фазой колебания; на основе нелинейных гиромагнитных линий созданы компактные многоканальные гигаваттные источники СВЧ-импульсов с когерентным сложением полей излучения и электронным сканированием (Премия Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых ученых за 2016 год). Ученые ИСЭ СО РАН были удостоены Общенациональной неправительственной Демидовской премии (2007), международных научных премий У. Дайка (2008) и Э. Маркса (2019), а также Премии Правительства Российской Федерации в области образования (2013).

В институте под руководством Н.А. Ратахина возобновлены в значительных объемах разработки и поставки в российские организации мощной электрофизической техники специального назначения. Ряд установок, включая источники электромагнитного излучения в различных частях спектра, создан для предприятий ГК «Росатом». Значительно возросла активность научного коллектива института в поиске дополнительных средств финансирования исследований. Выполняется большое число проектов РНФ и РФФИ. За период с 2015 по 2019 год объем средств, привлеченных помимо субсидии федерального бюджета, увеличился со 190 до 370 миллионов рублей. С начала 2019 года в институте действуют две новые научные лаборатории, укомплектованные молодежными кадрами.

Первый среди равных

Н.А. Ратахин – член президиума Сибирского отделения РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН. Сопредседатель регулярно проводимого в Томске международного конгресса «Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE). Осуществляет руководство интеграционной программой фундаментальных и прикладных научных исследований «Электроразрядные, пучково-плазменные, лазерные технологии и средства экологического мониторинга для развития производственно-хозяйственных комплексов Сибири и Дальнего Востока» в рамках реализации Концепции создания в Томской области инновационного территориального центра «ИНО Томск».

С 2012 по 2015 год Н.А Ратахин был председателем президиума Томского научного центра СО РАН, с июня 2018 года – председатель совета директоров институтов ТНЦ СО РАН. Эта его деятельность значительно способствовала координации научных исследований в академических институтах Томска, налаживанию сотрудничества с другими научными организациями, подведомственными Минобрнауки России. Николай Александрович 15 лет преподает в Национальном исследовательском Томском политехническом университете, в течении ряда лет заведовал выпускающей магистров кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники ТПУ.

Во благо Академгородка

Н.А. Ратахин был избран депутатом Думы Города Томска VI созыва (с октября 2016 по сентябрь 2020 года), где входил в комитет по бюджету, экономике и собственности и в постоянную комиссию по транспорту. Как депутат добивался реализации муниципальных программ развития в томском Академгородке, большая часть территории которого находится в федеральной собственности. По его инициативе территория томского Академгородка дважды вошла в городскую программу «От томского двора – до олимпийского пьедестала» с установкой комплексов общефизической подготовки. Николай Александрович регулярно оказывал депутатскую поддержку организациям, действующим в Академгородке: Совету ветеранов, Дому ученых, профсоюзной организации ТНЦ СО РАН, детскому саду, библиотеке, Академэкоцентру. При его поддержке проводились празднования Дня Победы, Дня космонавтики, Дня матери, Дня Академгородка, спортивные соревнования. Депутат Н.А. Ратахин оказывал помощь в приобретении инвентаря и снаряжения ДЮСШ, расположенным в Академгородке.

В родную стихию

Оставляя должность директора ИСЭ СО РАН, академик Н.А. Ратахин планирует заняться реализацией имеющихся у него творческих замыслов в области физики высоких плотностей энергии и экстремальных состояний вещества, разработкой нового поколения высоковольтных импульсных установок, в основу которых будет положена новая компонентная база.